Influência dos parâmetros de crescimento de filmes finos de TiO2 depositados pelo método MOCVD
AUTOR(ES)
Bernardi, M. I. B., Lee, E. J. H., Lisboa-Filho, P. N., Leite, E. R., Longo, E., Souza, A. G.
FONTE
Cerâmica
DATA DE PUBLICAÇÃO
2002-03
RESUMO
A síntese de filmes finos de TiO2 foi feita pelo método de deposição química do vapor de organometálicos (MOCVD). Foi estudada a influência de parâmetros de deposição usados durante o crescimento, nas características estruturais finais. Foi feita uma combinação de vários parâmetros experimentais: temperatura do banho do organometálico, tempo de deposição, e temperatura e tipo do substrato. A forte influência destes parâmetros na microestrutura final do filme foi analisada por microscopia eletrônica de varredura com espectroscopia de raios X dispersiva de elétrons, microscopia de força atômica e difração de raios X.
ASSUNTO(S)
compostos organometálicos filmes finos
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