Fotoluminescencia em GaAs dopado com Sn

AUTOR(ES)

Carmen Lucia Novis Cardoso

DATA DE PUBLICAÇÃO

1985

RESUMO

Medidas de fotoluminescência foram feitas em amostras de GaAs dopado com Sn (GaAs:Sn). Os resultados apresentaram duas regiões de emissão: excitônica é caracterizada pelas linhas A1 (1.5224 eV); A2 (1.5164eV); A3 (1.4966eV) e A4 (1.4600eV). A região profunda pelas bandas B1 (1.3612eV), B2 (1.3274eV) e B3 (1.2974eV). A linha A1 é interpretada como sendo a transição do éxciton livre; linha A2, éxciton ligado à impureza doadora de Sn; linha A3, éxciton ligado a impureza aceitadora de Sn e a linha A4 como sendo réplica de um fonon LO da linha A3. A origem da banda B1 não é muito clara; a banda B2 é interpretada como sendo a recombinação do elétron da banda de condução com nível aceitador profundo de Sn e a banda B3 como sendo réplica de um fonon da banda B2. Além disto, alguns efeitos foram observados: A posição em energia do éxciton livre (linha A1) está » 7.4MeV acima do valor encontrado na literatura. A posição em energia do éxciton ligado a impureza aceitadora profunda de Sn (linha A3) está » 10.4MeV abaixo do valor encontrado na literatura. Alguns comentários são feitos sobre os efeitos observados

ASSUNTO(S)

eletroluminescencia fotoluminescencia

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