Espalhamento Raman por magnons em semicondutores ferromagneticos
AUTOR(ES)
Nilson Sena de Almeida
DATA DE PUBLICAÇÃO
1977
RESUMO
A eficiência Raman de espalhamento de ondas eletromagnéticas com a criação de um mágnon, em processos intrabanda de condução e por mecanismo indireto, em semicondutores ferromagnéticos, na presença de um campo magnético DC forte, é estudada. Mostra-se que o processo no qual a interação elétron-radiação é devida ao termo em A2 é dominante sobre o em A.p. Estimativas são feitas para campos magnéticos da ordem de 100 KG e parâmetros físicos característicos dos semicondutores em estudo. Finalmente, é feita uma análise do comportamento de Sp( l ) com a geometria de espalhamento
ASSUNTO(S)
espectroscopia de semicondutores magneticos raman
ACESSO AO ARTIGO
http://libdigi.unicamp.br/document/?code=vtls000043276Documentos Relacionados
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