Effect of investment type and mold temperature on casting accuracy and titanium-ceramic bond

AUTOR(ES)
FONTE

Braz. Dent. J.

DATA DE PUBLICAÇÃO

2013

RESUMO

O objetivo neste estudo foi avaliar a precisão da fundição de margens de coroas e a resistência de união metalocerâmica do titânio puro injetado em moldes de fundição feitos com 2 tipos de revestimentos em 3 diferentes temperaturas. Sessenta copings (com linha de término em bisel de 30°) e 60 padrões em forma de cilindros (diâmetro de 5 mm e altura de 8 mm) foram separados em 6 grupos (n=10) e fundidos usando revestimento aglutinado por fosfato (P) ou revestimento aglutinado por óxido de magnésio, nas temperaturas finais do molde: 400° (grupos P400 e U400), 550° (grupos P550 e U550) e 700° (grupos P700 e U700). As margens dos copings foram registradas em material de moldagem, o grau de arredondamento marginal foi medido e as deficiências marginais (µm) foram calculadas. Os espécimes metalocerâmicos foram confeccionados com cerâmica Triceram (altura de 2 mm) e submetidos aos ensaios de resistência de união por cisalhamento. Os tipos de fratura foram avaliados em microscópio óptico. Os dados foram submetidos à ANOVA e teste de Tukey (α=0,05). Para precisão de fundição (µm), o revestimento U promoveu melhores resultados (64 ± 11) que o P (81 ± 23) (p<0,001); o aumento da temperatura do molde resultou em efeitos diferentes para os revestimentos avaliados (p<0,001), considerando que promoveu melhor precisão de fundição para U700 (55 ± 7) e pior para P700 (109 ± 18). Os valores promovidos por 700°C (82 ± 31) foram significantemente diferentes de 400°C (69 ± 9) e 550°C (68 ± 9) (p<0,05). Para resistência de união ao cisalhamento, a ANOVA não demonstrou diferença significante para os fatores revestimento (p=0,062) e temperatura (p=0,224), nem para a interação deles (p=0,149). O revestimento U promoveu melhor precisão de fundição que o revestimento P. A resistência de união ao cisalhamento foi similar para todas as combinações de revestimentos e temperaturas do molde.

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