Dispositivos optoeletronicos baseados no crescimento de InGaP em substratos pre-gravados pela tecnica CBE
AUTOR(ES)
Maria Priscila Pessanha de Castro
DATA DE PUBLICAÇÃO
2001
RESUMO
Apresentamos neste trabalho, um estudo do crescimento de camadas de In0.49Ga0.51P sobre substratos pré-gravados através da técnica de Epitaxia por Feixes Químicos (CBE). Foi realizada uma análise do crescimento dos planos (100) e (111)A em função da temperatura de crescimento e da dimensão das estruturas pré-gravadas. Apresentamos também uma investigação da formação de novos planos cristalinos à temperatura de crescimento de 500 0 C. Neste estudo foi observado que a formação de novos planos cristalinos está relacionada com uma variação de composição ao longo da estrutura pré-gravada. Além disso, mostramos um estudo de dopagem seletiva com Berílio em substratos pré-gravados. Para finalizar, apresentamos o estudo do crescimento de poços quânticos de InGaAs/GaAs em substratos pré-gravados e a modelagem preliminar de um dispositivo para a modulação óptica com controle também óptico. Este dispositivo é de grande relevância para a recuperação de sinais ópticos digitais e pode ser viabilizado com o crescimento em substratos pré-gravados. Essencialmente, ele consiste na integração de um laser de três terminais e um guia de ondas amplificador. Nossas simulações mostram a possibilidade de chaveamento óptico por controle de entrada óptico a 970 nm e potência entre ?10 dBm e 10dBm, para uma saída coerente à 980nm com potência de até 30 dBm, resultando num ganho de até 40 dB
ASSUNTO(S)
dispositivos optoeletronicos semicondutores epitaxia lasers semicondutores arsenieto de galio
ACESSO AO ARTIGO
http://libdigi.unicamp.br/document/?code=vtls000304699Documentos Relacionados
- Cannon (dedicada a Cannonball Adderley) para flauta, humming na flauta e sons pré-gravados
- Crescimento de InGaP sobre GaAs por epitaxia de feixe quimico
- Crescimento epitaxial de InxGa1-xP sobre GaAs pela tecnica de epitaxia por feixe quimico (CBE)
- Crescimento homoepitaxial de GaAs por CBE
- Crescimento epitaxial de GaAs pela Tecnica Movpe