Development of integrated optic receiver in HBT technology / Desenvolvimento de receptor optico integrado em tecnologia HBT
AUTOR(ES)
Marcos Augusto de Goes
DATA DE PUBLICAÇÃO
2005
RESUMO
Esta dissertação de mestrado descreve o estudo, projeto e implementação de um receptor optoeletrônico integrado (OEIC) utilizando a tecnologia de transistores bipolares de heterojunção (HBT), fabricados a partir do material semicondutor arseneto de gálio. A grande vantagem deste transistor é o seu alto ganho e baixa resistência de base, o qual possibilita operações na faixa de gigahertz. A integração do estágio de fotodetecção, feita por um fotodiodo do tipo PIN, com o circuito de amplificação em um mesmo circuito integrado é possível, pois o fotodetector é construído com as camadas de base, coletor e subcoletor do transistor HBT. Com isso, as resistências, capacitâncias e indutâncias parasitas presentes na conexão entre estes dois estágios são minimizadas. Isto permite aos receptores monolíticos trabalharem em freqüências mais altas em relação aos receptores híbridos. O circuito fabricado opera com fontes de luz no comprimento de onda de 850 nm e pode ser utilizado em redes locais de curta distância (LAN)
ASSUNTO(S)
optoeletronica arseneto de galio fotodetectores photodetectors bipolar transistors gallium arsenide transistores bipolares optoelectronics
ACESSO AO ARTIGO
http://libdigi.unicamp.br/document/?code=vtls000374485Documentos Relacionados
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