Crescimento de diamante CVD em substratos de silício de grande área

AUTOR(ES)

Moro, João Roberto, Trava-Airoldi, Vladimir Jesus, Corat, Evaldo José, Eichenberger Neto, João, Amorim, Amaurí, Alves, Arnaldo Ribeiro

FONTE

Rem: Revista Escola de Minas

DATA DE PUBLICAÇÃO

2010-06

RESUMO

Realizaram-se crescimentos de filmes de diamante por deposição química de vapor (CVD, do inglês Chemical Vapor Deposition) em substratos de silício (100), de grande área (80 cm²), em um reator de filamento quente (HFCVD), com taxas de crescimento superiores a 1,5 µm/h. Foi realizado o crescimento das amostras com diferentes fluxos gasosos e diferentes porcentagens de metano (CH4) em hidrogênio (H2). As amostras foram caracterizadas por microscopia óptica, eletrônica de varredura e por espectroscopia de espalhamento Raman. Tais análises acusaram a presença de diamante de alta pureza em todas as amostras.

ASSUNTO(S)

diamante cvd crescimento grandes áreas

Documentos Relacionados

• Incorporação de boro em diamante CVD através de diferentes substratos
• Filmes de diamante nanocristalino infiltrados em substratos de silício poroso através das técnicas CVD/CVI
• Filmes de diamante nanocristalino infiltrados em substratos de silício poroso através das técnicas CVD/CVI
• Taxa de crescimento de filmes de diamante CVD em superfícies de molibdênio
• Crescimento de diamante CVD com ativaÃÃo por cloro.