Celulas solares de silicio cristalino com emissores profundos

AUTOR(ES)
DATA DE PUBLICAÇÃO

1995

RESUMO

Neste trabalho desenvolvemos células solares com junção profunda. Este tipo de estrutura é adotado com o objetivo de reduzir-se a concentração de fósforo nos emissores aumentando assim a coleção de fótons de alta energia e reduzindo a recombinação. Utilizamos lâminas de silício cristalino float-zone (FZ), tipo-p, orientação (100), resistividade de 1W -cm. As difusões foram realizadas em tubo de quartzo aberto com fonte de POCl3, à temperatura de 850 °C, seguidas de recozimento a 1050°C por 3 horas. As superfícies das células foram passivadas com óxido de silício crescido por oxidação térmica. Os contatos metálicos foram preparados por fotolitografia com cobertura total de cerca de 8% da área. A melhor célula forneceu eficiência de 13.7%, tensão de circuito aberto Vca = 592 mV, corrente de curto circuito Icc = 134 mA, fator de preenchimento FF = 69%, resistência série Rs = 0.5 W , resistência paralela Rp = 5.7x103 W , resistência de contatos rc = 5x10-4 W cm2, fator de ideal idade m = 1.9, e corrente de saturação I0 = 1,1x10-6 A/cm2, sob iluminação AM1

ASSUNTO(S)

difusão silicio fosforo celulas solares

ACESSO AO ARTIGO

Documentos Relacionados