Caracterização Ótica de Poços Quânticos de GaMnAs

AUTOR(ES)

Danny Pilar Araucano Holgado

DATA DE PUBLICAÇÃO

2007

RESUMO

Neste trabalho realizamos a caracterização ótica de hetero-estruturas semicondutoras baseadas em semicondutores magnéticos diluídos (Diluted Magnetic Semiconductor-DMS). Em particular, estudamos poços quânticos (QW) de GaAs/AlAs/Ga1-xMnxAs, com baixa concentração de Mn ( 0≤x≤0,2) crescidas em alta temperatura (450C) pela técnica de BEM (Molecular Beam Epitaxy). As condições de crescimento foram escolhidas de forma a reduzir a incorporação de As no material e também a incorporação de Mn intersticial, resultando assim em amostras de boa qualidade ótica. Realizamos medidas de fotoluminescência resolvida em polarização em amostras crescidas em diferentes planos tais como (311B) e (001) e diferentes concentrações de manganês, x = 0,0%, 0,07%; 0,1%;. Com isso, determinamos o grau de polarização circular da emissão do QW assim como o desdobramento de spin do QW em função do campo magnético.

ASSUNTO(S)

heteroestrutura semicondutora semicondutores magneto-luminescência fotoluminescência fisica

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