Aplicação do metodo Monte Carlo ao estudo da corrente induzida por feixe eletronico em dispositivos semicondutores

AUTOR(ES)

Gerald Weber

DATA DE PUBLICAÇÃO

1987

RESUMO

We simulate the electron beam induced current for a diode and a double heterostructure laser with a Monte Carlo simulation technique. We obtain by this simulation ?method? a characteristic energy distribution by which we calculate minority carrier production, diffusion and collection al the junction. By this way it is possible to us to make an estimative for the carrier diffusion length in semiconductor devices analyzed by a scanning electron microscope

ASSUNTO(S)

semicondutores - modelos matematicos metodo de monte carlo

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