AplicaÃÃo da abordagem de domÃnio espectral para anÃlise de moduladores eletroÃpticos integrados.

AUTOR(ES)

Kitano, ClÃudio

DATA DE PUBLICAÇÃO

2001

RESUMO

Na tese apresenta-se a aplicaÃÃo da Abordagem de DomÃnio Espectral para o estudo de moduladores eletroÃpticos integrados com substratos estratificados. As configuraÃÃes dos moduladores utilizam estruturas de microondas do tipo ondas caminhantes, com seÃÃo transversal limitada por paredes condutoras. Os substratos sÃo constituÃdos por material eletroÃptico e camadas dielÃtricas isotrÃpicas. A rede de eletrodos planos, utilizada para configurar o campo de modulaÃÃo, à posicionada em uma interface apropriada do substrato estratificado, e os guias Ãpticos do tipo canal, estÃo localizados na camada eletroÃptica. A modelagem da interaÃÃo eletroÃptica, para um modulador faixa larga, deve levar em consideraÃÃo as caracterÃsticas de propagaÃÃo do sinal Ãptico e do campo elÃtrico de modulaÃÃo. Para os guias Ãpticos obtÃm-se uma representaÃÃo anÃlitica para o campo Ãptico, aplicando-se hipÃteses simplificadoras. Por outro lado, o estudo do campo elÃtrico de modulaÃÃo, levando-se em consideraÃÃo os efeitos de dielÃtricos em multicamadas, da rede de eletrodos com assimetria geomÃtrica e da blindagem elÃtrica, à realizado atravÃs do mÃtodo de Abordagem de DomÃnio Espectral. A formulaÃÃo desenvolvida à aplicada para moduladores com substratos cujos eixos cristalinos sÃo orientados arbitrariamente em relaÃÃo aos geomÃtricos. Contudo, Ãnfase especial especial à dedicada aos moduladores que utilizam CPS e CPW com substratos de LiNbO3 ou LiTaO3, com cortes -Z ou -X e buffer-layer de SiO2, por apresentarem grande importÃncia prÃtica. Para moduladores com multi eletrodos, que utilizam um modo de propagaÃÃo dominante quase-TEM, à apresentado um modelo fundamentado na representaÃÃo do sinal de modulaÃÃo atravÃs de uma linha de transmissÃo equivalente. Leva-se em consideraÃÃo os efeitos do descasamento entre as velocidades dos sinais Ãptico e de modulaÃÃo, e os coeficientes de reflexÃo nas estremidades dos eletrodos. A largura de faixa e a tensÃo de meia-onda de moduladores sÃo discutidas em detalhes para diversas configuraÃÃes de interesse prÃtico.

ASSUNTO(S)

Ãptica integrada Ãptica eletrÃnica comunicaÃÃo Ãptica domÃnio espectral moduladores microondas

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