Análise do impacto de NBTI e RTS em células SRAM e portas lógicas

AUTOR(ES)

Camargo, Vinícius Valduga de Almeida

DATA DE PUBLICAÇÃO

2010

RESUMO

Este trabalho tem por objetivo analisar o impacto causado no atraso de propagação de portas lógicas e a probabilidade de falhas em células de memória estáticas de acesso aleatório (SRAM) devido a Negative Bias Temperature Instability (NBTI) e ao Randon Telegraph signal (RTS). As analises são baseadas nos resultados de simulações elétricas que se utilizam de modelos teóricos dos efeitos, também apresentados neste trabalho. Ao final do trabalho é feita uma comparação entre o impacto destes dois efeitos nos dois tipos de circuitos simulados.

ASSUNTO(S)

nbti engenharia elétrica rts sram microelectronics

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